Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/603
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВолощук, А. Г.-
dc.contributor.authorБілоголовка, В. Т.-
dc.date.accessioned2016-07-19T06:36:36Z-
dc.date.available2016-07-19T06:36:36Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationУстановка для вимірювання величини та розподілу поверхневого потенціалу Si - пластин методом контактної різниці потенціалів / А. Г. Волощук, В. Т. Білоголовка // Методи та прилади контролю якості. - 2002. - № 8. - С. 44-46.uk_UA
dc.identifier.urihttp://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/603-
dc.description.abstractОписана установка неруйнівного контролю якості фізико-хімічного стану поверхні напівпровідників, шляхом вимірювання поверхневого потенціалу. Приведені функціональна схема і технічні характеристики установки. Викладено вибіркові результати, що відображують вплив хімічних обробок на величину поверхневого потенціалу Si-пластин.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІФНТУНГuk_UA
dc.titleУстановка для вимірювання величини та розподілу поверхневого потенціалу Si - пластин методом контактної різниці потенціалівuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Располагается в коллекциях:Методи та прилади контролю якості - 2002 - №8

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2210p.pdf353.12 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.